三星量产10nm工艺笔记本DDR4内存 可达32GB2666MHz

程韵玉
导读 今天,三星在官网宣布,将量产SO-DIMM DDR4内存的10nm制程内存颗粒,最大32GB,最高频率2666MHz,功耗降低高达39%。三星_ 16GB,_ 32GB

今天,三星在官网宣布,将量产SO-DIMM DDR4内存的10nm制程内存颗粒,最大32GB,最高频率2666MHz,功耗降低高达39%。

三星_ 16GB,_ 32GB _索迪姆_ C.jpg(874.43 kb,下载次数:4)

上传于2018年5月30日10: 34

以前在SO-DIMM上实现32GB是非常困难的。比如G-skill推出的Ripjaws 3800MHz DDR4,用的是三星的高级B-die内存颗粒,但是用了4个8GB的条带才形成了32GB的总容量。这次三星依靠颗粒的优势量产了10nm单颗粒16Gb(2GB) IC,最终可以生产出单颗32GB的SO-DIMM。而且频率进一步提升到2666MHz,刚好匹配目前的高阶8代处理器。同时得益于10nm工艺更低的泄漏率,其功耗从7.4W降至4.5W,幅度为39%。这也是为了让笔记本续航时间增加1s。

三星表示,大容量高规格SO-DIMM规格的推出可以帮助笔记本厂商推出更强大的游戏笔记本,同时也将进一步扩大10nm工艺在存储领域的利用,未来还将推出LPDDR4、GDDR5、DDR4的10nm颗粒。

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